VTFET чип от IBM и Samsung обещава 1 седмица живот на батерията на телефона

IBM и Samsung съвместно обявиха нов дизайн на чип, който може да доведе до значителни печалби в производителносттаи цяла седмица живот на батерията за вашия телефон.

Новият чип с транзистори с вертикален транспортен полеви ефект (VTFET), съвместно разработен в Олбани Нанотехнологичният комплекс в Ню Йорк се отличава в основата си с вертикална архитектура, а не с обичайната плоска метод.

Чрез подреждане на транзистори един върху друг, а не по обичайния метод рамо до рамо, този VTFET чип ще драстично вдигнете тавана по отношение на броя на транзисторите, които могат да бъдат опаковани в малка повърхност ■ площ. Той също така ще подобри контактните точки на транзистора, като по този начин „позволява по-голям поток на тока с по-малко изразходвана енергия“.

Получените ползи обещават да бъдат драматични. IBM и Samsung са предсказване че ще намали потреблението на енергия с 85 процента в сравнение със сравними чипове на транзисторите с полеви транзистор (finFET), като същевременно има и двукратно подобрение в производителността.

instagram viewer

По отношение на ефективността се твърди, че това ще доведе до „батерии на клетъчни телефони, които могат да издържат повече от седмица, без да се зареждат, вместо дни“.

Естествено такъв нискоенергиен, високопроизводителен хардуер би представлявал огромен тласък за Интернет на нещата (IoT).

Това изглежда ще дойде в идеален момент, т.к Закон на Мур – дългогодишният принцип, че броят на транзисторите и по този начин производителността на чиповете ще се удвояват на всеки две години – напоследък се сблъсква с ограниченията на физиката. Старият плосък метод на производство просто няма да доведе до огромните, редовни печалби, които е правил в продължение на много години.