Čip VTFET od IBM a Samsungu slibuje výdrž baterie telefonu 1 týden

IBM a Samsung společně oznámily průlomový design čipu, který by mohl vést k výraznému zvýšení výkonua celý týden výdrže baterie pro váš telefon.

Nový čip Vertical Transport Field Effect Transistor (VTFET), společně vyvinutý v Albany Nanotech Complex v New Yorku má ve svém jádru spíše vertikální architekturu než obvyklý byt metoda.

Naskládáním tranzistorů na sebe namísto obvyklé metody vedle sebe bude tento čip VTFET dramaticky zvednout strop, pokud jde o počet tranzistorů, které lze nacpat na malou plochu plocha. Zlepší také tranzistorové kontaktní body, čímž „umožní větší tok proudu s menším plýtváním energií“.

Výsledné výhody slibují, že budou dramatické. IBM a Samsung jsou předpovídání že sníží spotřebu energie o 85 procent ve srovnání se srovnatelnými tranzistorovými čipy s efektem pole (finFET), přičemž jde také o dvojnásobné zlepšení výkonu.

Na frontě účinnosti se tvrdí, že to povede k „bateriím mobilních telefonů, které by mohly vydržet déle než týden bez nabíjení, místo dní“.

Takový nízkoenergetický a vysoce výkonný hardware by přirozeně představoval obrovskou podporu pro internet věcí (IoT).

Zdá se, že to přijde v ideální dobu Moorův zákon – dlouholetý princip, že počet tranzistorů a tím i výkon čipu se každé dva roky zdvojnásobí – v poslední době naráží na limity fyziky. Stará metoda ploché výroby prostě nepřinese takové obrovské, pravidelné zisky, jako po mnoho let.

Proč věřit naší žurnalistice?

Trusted Reviews, založené v roce 2004, existuje, aby našim čtenářům poskytlo důkladné, nezaujaté a nezávislé rady ohledně toho, co koupit.

Dnes máme 9 milionů uživatelů měsíčně po celém světě a ročně hodnotíme více než 1 000 produktů.