VTFET-Chip von IBM und Samsung verspricht 1 Woche Handy-Akkulaufzeit

IBM und Samsung haben gemeinsam ein bahnbrechendes Chipdesign angekündigt, das zu erheblichen Leistungssteigerungen führen könnteund eine volle Woche Akkulaufzeit für Ihr Telefon.

Der neue Vertical Transport Field Effect Transistors (VTFET)-Chip, der in Albany. mitentwickelt wurde Nanotech Complex in New York, im Kern eher eine vertikale Architektur als die übliche Wohnung Methode.

Durch das Stapeln von Transistoren übereinander anstelle der üblichen Side-by-Side-Methode wird dieser VTFET-Chip die Obergrenze für die Anzahl der Transistoren, die auf einer kleinen Fläche untergebracht werden können, drastisch anheben Bereich. Es verbessert auch die Transistorkontaktpunkte und ermöglicht so „einen größeren Stromfluss mit weniger Energieverschwendung“.

Die daraus resultierenden Vorteile versprechen dramatisch zu sein. IBM und Samsung sind vorhersagen dass es den Energieverbrauch im Vergleich zu vergleichbaren Finnen-Feldeffekttransistor-(finFET)-Chips um 85 Prozent reduzieren wird, während auch eine zweifache Leistungssteigerung angestrebt wird.

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In Bezug auf die Effizienz wird behauptet, dass dies zu "Handy-Akkus führen könnte, die statt Tagen über eine Woche ohne Aufladung laufen könnten".

Natürlich würde eine solche energiesparende und leistungsstarke Hardware einen enormen Schub für das Internet der Dinge (IoT) bedeuten.

Dies scheint zu einem idealen Zeitpunkt zu kommen, da Moores Gesetz – das langjährige Prinzip, dass sich die Transistorzahl und damit die Chipleistung alle zwei Jahre verdoppeln – stößt in letzter Zeit an die Grenzen der Physik. Die alte flache Produktionsmethode wird einfach nicht die riesigen, regelmäßigen Gewinne bringen, die sie viele Jahre lang gemacht hat.