Η Samsung αναπτύσσει εγκαίρως τσιπ RAM 8 GB για το Galaxy S5

Η Samsung ανακοίνωσε την ανάπτυξη ενός τσιπ RAM 8 GB για φορητές συσκευές, το οποίο θα μπορούσε να οδηγήσει στην εμφάνισή του στο Samsung Galaxy S5 το 2014.

Ο τεχνολογικός γίγαντας της Νότιας Κορέας αποκαλεί το νέο τσιπ «τα πρώτα οκτώ gigabit (Gb) της βιομηχανίας, χαμηλής ισχύος διπλό ρυθμό δεδομένων 4 (LPDDR4), DRAM για κινητά».

Χάρη σε μια εξαιρετικά μικρή διαδικασία κατασκευής 20nm, η Samsung κατάφερε να συμπιέσει ένα πλήρες 1 GB σε μία μόνο μήτρα. Αυτό αποτελεί τη μεγαλύτερη πυκνότητα στο στοιχείο DRAM - εξ ου και το τεράστιο δυναμικό των 8 GB.

Τούτου λεχθέντος, τα smartphone που εκμεταλλεύονται αυτό το νέο πρότυπο πιθανότατα θα «προσφέρουν μόνο» 4 GB μνήμης RAM.

Αυτό το νέο στοιχείο έχει επιπτώσεις τόσο στην απόδοση όσο και στην ικανότητα. Η Samsung ισχυρίζεται ότι είναι 50 τοις εκατό ταχύτερη από την προηγούμενη λύση της, το LPDDR3 βρίσκεται αυτή τη στιγμή στο like του Samsung Galaxy S4.

Το LPDDR4 θα καταναλώνει επίσης περίπου 40 τοις εκατό λιγότερη ισχύ από το προηγούμενο πρότυπο, το οποίο θα κάνει θαύματα για τη διάρκεια ζωής της μπαταρίας. Πολύ πιο πιθανό, ωστόσο, είναι ότι θα βοηθήσει στην τροφοδοσία ακόμη και υψηλότερης ανάλυσης κινητών οθονών και η διάρκεια ζωής της μπαταρίας θα παραμείνει στο τρέχον υποτιμητικό επίπεδο.

Πριν κατηγορηθούμε για κυνισμό, ρίξτε μια ματιά SamsungΤα σχόλια σχετικά με την εφαρμογή του νέου προτύπου RAM:

«Με το νέο τσιπ, η Samsung θα επικεντρωθεί στην κορυφαία αγορά κινητής τηλεφωνίας, συμπεριλαμβανομένων των smartphone UHD μεγάλης οθόνης, των tablet και των εξαιρετικά λεπτών φορητών υπολογιστών που προσφέρουν τέσσερις φορές την ανάλυση πλήρους HD.»

Φαίνεται ότι το 2014 θα μπορούσε να είναι το έτος του πρώτου smartphone 4K - και θα μπορούσε κάλλιστα να διαθέτει την τεχνολογία Samsung στον πυρήνα της.

Διαβάστε περισσότερα: Τι είναι το 4K;