Samsung kehittää 8 Gt: n RAM-sirun ajoissa Galaxy S5: lle

Samsung on ilmoittanut 8 Gt: n RAM-sirun kehittämisestä mobiililaitteille, mikä voi johtaa sen esiintymiseen Samsung Galaxy S5 vuonna 2014.

Etelä-Korean tekninen jättiläinen kutsuu uutta sirua "alan ensimmäiseksi kahdeksaksi gigabitiksi (Gb), pienitehoiseksi kaksoistiedonsiirtonopeudeksi 4 (LPDDR4), mobiiliksi DRAMiksi".

Erittäin pienen 20 nm: n valmistusprosessin ansiosta Samsung on onnistunut puristamaan kokonaisen 1 Gt: n yhdeksi muotiksi. Tämä on DRAM-komponentin tiheys vielä suurin - tästä syystä massiivinen 8 Gt: n potentiaali.

Tämän uuden älystandardin hyödyntävät älypuhelimet tarjoavat todennäköisesti vain "vain" 4 Gt RAM-muistia.

Tämä uusi komponentti vaikuttaa sekä suorituskykyyn että kapasiteettiin. Samsung väittää, että se on 50 prosenttia nopeampi kuin edellinen ratkaisunsa, LPDDR3, joka löytyy tällä hetkellä Samsung Galaxy S4.

LPDDR4 kuluttaa myös noin 40 prosenttia vähemmän virtaa kuin edellinen standardi, jonka pitäisi tehdä ihmeitä akun kestosta. Paljon todennäköisempää on kuitenkin, että se auttaa käyttämään vielä korkeamman resoluution mobiilinäyttöjä, ja akun käyttöikä pysyy nykyisellä surkealla tasollaan.

Ennen kuin syytetään kyynisyydestä, tarkista SamsungKommentoi uuden RAM-standardin soveltamista:

"Uuden sirun avulla Samsung keskittyy ensiluokkaisiin mobiilimarkkinoihin, mukaan lukien suurikokoiset UHD-älypuhelimet, tabletit ja erittäin ohut kannettavat tietokoneet, jotka tarjoavat nelinkertaisen täysteräväpiirtotarkkuuden."

Näyttää siltä, ​​että vuosi 2014 voisi olla ensimmäisen 4K-älypuhelimen vuosi - ja siinä voisi hyvin olla Samsungin tekniikka.

Lue lisää: Mikä on 4K?