Samsung produit la première mémoire flash de 256 gigabits de l'industrie

Samsung produit désormais une mémoire flash de 256 gigabits, ce qui devrait permettre de doubler facilement la capacité du lecteur flash.

Le géant sud-coréen de l'électronique a annoncé qu'il produisait désormais «256 gigabits (Gb), tridimensionnel (3D) Mémoire flash NAND verticale (V-NAND) basée sur 48 couches de baies de cellules à plusieurs niveaux (MLC) 3 bits à utiliser dans les disques SSD (SSD). »

Cela représente un doublement de la densité des puces flash NAND conventionnelles de 128 Go.

Concrètement, la nouvelle puce "doublera facilement la capacité des gammes de SSD existantes de Samsung", selon Samsung. Cela devrait entraîner des lecteurs flash de plusieurs téraoctets bien supérieurs au modèle actuel de 2 To de Samsung.

De plus, la nouvelle puce est 30% plus économe en énergie que les modèles précédents. Samsung a également réussi à atteindre 40% de productivité en plus avec sa nouvelle puce, ce qui signifie que l'augmentation de la capacité de mémoire ne doit pas nécessairement augmenter le coût à la caisse d'un équivalent quantité.

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Cette percée devrait également avoir un effet d'entraînement positif sur le marché des smartphones. La possibilité de stocker plus de mémoire dans un petit espace sans augmenter considérablement les coûts ne peut être qu'une bonne chose pour les options de capacité des futurs téléphones.

Samsung affirme qu'il continuera à produire ces nouveaux composants de mémoire flash de 256 gigabits pendant le reste de 2015.