Memoria 3D Xpoint impostata per sostituire sia DRAM che NAND

Intel e Micron hanno unito le forze per annunciare una nuovissima tecnologia di memoria che è destinata a sostituire sia l'archiviazione a stato solido DRAM che NAND che attualmente utilizziamo nei nostri PC.

Chiamata 3DXpoint, la tecnologia utilizza un nuovo metodo di archiviazione dei dati che non si basa sui transistor ma piuttosto cambia lo stato di un nuovo materiale non divulgato per fornire una conservazione dei dati estremamente duratura che è anche molto veloce.

Quanto velocemente? 1000 volte la velocità dell'attuale tecnologia NAND utilizzata negli SSD secondo Intel. È un po 'meno della tecnologia DRAM più veloce, ma Intel e Micron prevedono ancora sistemi e applicazioni in cui 3DXpoint sarà l'unica memoria utilizzata.

Fondamentale per la nuova tecnologia è che sarà impilabile, come la tecnologia HBM di AMD, consentendo una memoria ad altissima densità. A tal fine, il primo prodotto previsto dovrebbe essere costituito da due strati, con l'aggiunta di altri prodotti futuri.

Come ha sottolineato Bob Crooke di Intel, questa è la prima nuova tecnologia di memoria da molto, molto tempo, con la NAND che risale al 1989 e la DRAM che risale agli anni '60.

Assomiglia un po 'a una versione di memoria della tecnologia del processore FinFET di Intel 3D Xpoint memorizza i dati in sottili colonne di materiale interconnesse da sottili fili metallici.

I dati vengono memorizzati alterando lo stato del materiale, che cambia la sua resistenza. Poiché non è necessario trattenere gli elettroni come nella maggior parte delle tecnologie di memoria esistenti, la conservazione dei dati è enorme, poiché dura 1000 volte più a lungo della NAND, secondo Intel / Micron.

Intel e Micron hanno presentato il primo wafer della nuova tecnologia, che viene prodotto in uno stabilimento nello Utah.

Le aziende restano in silenzio sul tipo di prodotti che offriremo.
vedere la nuova tecnologia arrivare ma ci siamo impegnati a una data di rilascio 2016 per un prodotto con una capacità di 128 GB.