3D Xpoint atmintis nustatyta pakeisti DRAM ir NAND

„Intel“ ir „Micron“ suvienijo jėgas, kad paskelbtų visiškai naują atminties technologiją, kuri pakeis tiek DRAM, tiek NAND kietojo kūno atmintį, kurią šiuo metu naudojame savo kompiuteriuose.

Vadinama „3DXpoint“, technologija naudoja naują duomenų saugojimo metodą, kuris remiasi ne tranzistoriais, o greičiau keičia neatskleidžiamos naujos medžiagos būseną, kad būtų užtikrintas ypač ilgalaikis duomenų saugojimas greitai.

Kaip greitai? 1000 kartų didesnis nei dabartinės NAND technologijos, naudojamos SSD, sparta pagal „Intel“. Tai šiek tiek trūksta greičiausios DRAM technologijos, tačiau „Intel“ ir „Micron“ vis dar numato sistemas ir programas, kuriose „3DXpoint“ bus vienintelė naudojama atmintis.

Naujosios technologijos svarba yra ta, kad ji bus sukraunama, kaip ir AMD HBM technologija, leidžianti išsaugoti ypač didelio tankio atmintį. Šiuo tikslu tikimasi, kad pirmasis numatomas produktas susidės iš dviejų sluoksnių, o būsimi produktai pridės daugiau.

Kaip pabrėžė „Intel“ atstovas Bobas Crooke'as, tai yra pirmoji nauja atminties technologija per ilgą ir ilgą laiką, kai NAND buvo sukurta 1989 m., O DRAM - iki 1960 m.

Atrodo šiek tiek panašus į „Intel“ „FinFET“ procesoriaus technologijos atminties versiją, „3D Xpoint“ duomenys kaupiami plonose medžiagos kolonėlėse, sujungtose plonais metaliniais laidais.

Duomenys saugomi keičiant medžiagos būseną, o tai keičia ir jos atsparumą. Kadangi nereikia laikyti elektronų, kaip ir daugumoje esamų atminties technologijų, duomenų sulaikymas yra didžiulis, jis tarnauja 1000 kartų ilgiau nei NAND, teigia „Intel“ / „Micron“.

„Intel“ ir „Micron“ pristatė pirmąją naujos technologijos plokštelę, kuri gaminama Jutos objekte.

Bendrovės tyli, kokius tiksliai produktus gaminsime.
pamatysite naujos technologijos atėjimą, bet įsipareigojote 2016 m. išleisti 128 GB talpos produktą.