VTFET-chip van IBM en Samsung belooft een batterijlevensduur van 1 week

IBM en Samsung hebben gezamenlijk een baanbrekend chipontwerp aangekondigd dat tot grote prestatieverbeteringen kan leidenen een volledige batterijduur van een week voor je telefoon.

De nieuwe Vertical Transport Field Effect Transistors (VTFET)-chip, mede ontwikkeld in het Albany Nanotech Complex in New York, heeft in de kern een verticale architectuur in plaats van de gebruikelijke flat methode.

Door transistors op elkaar te stapelen in plaats van de gebruikelijke zij-aan-zij-methode, zal deze VTFET-chip: het plafond drastisch verhogen in termen van het aantal transistors dat op een klein oppervlak kan worden verpakt Oppervlakte. Het zal ook de contactpunten van de transistors verbeteren, waardoor "meer stroom vloeit met minder verspilde energie".

De resulterende voordelen beloven dramatisch te zijn. IBM en Samsung zijn voorspellen dat het het energieverbruik met 85 procent zal verminderen in vergelijking met vergelijkbare fin field-effect transistor (finFET)-chips, terwijl een tweevoudige verbetering van de prestaties ook op het spel staat.

instagram viewer

Op het gebied van efficiëntie wordt beweerd dat dit zal leiden tot "batterijen voor mobiele telefoons die meer dan een week meegaan zonder te worden opgeladen, in plaats van dagen."

Uiteraard zou dergelijke energiezuinige, krachtige hardware een enorme boost betekenen voor het Internet of Things (IoT).

Dit lijkt op een ideaal moment te komen, want De wet van Moore – het aloude principe dat transistoraantallen en dus chipprestaties elke twee jaar verdubbelen – botst de laatste tijd op de grenzen van de natuurkunde. De oude platte productiemethode zal gewoon niet de enorme, regelmatige winst opleveren die het jarenlang heeft gedaan.