Samsung produceert het eerste 256-gigabit flashgeheugen in de branche

Samsung produceert nu 256 Gigabit flash-geheugen, wat zou moeten leiden tot een gemakkelijke verdubbeling van de capaciteit van de flashdrive.

De Zuid-Koreaanse elektronicagigant heeft aangekondigd dat het nu '256 gigabit (Gb), driedimensionale (3D) Verticaal NAND (V-NAND) flashgeheugen gebaseerd op 48 lagen 3-bit multi-level-cell (MLC) arrays voor gebruik in solid-state drives (SSD's). "

Dit vertegenwoordigt een verdubbeling in dichtheid van conventionele 128Gb NAND-flashchips.

In de praktijk zal de nieuwe chip "gemakkelijk de capaciteit verdubbelen van de bestaande SSD-line-ups van Samsung", aldus Samsung. Dit zou moeten resulteren in flashdrives van meerdere terabytes die ruimschoots hoger zijn dan het huidige 2TB-model van Samsung.

Bovendien is de nieuwe chip 30 procent energiezuiniger dan eerdere modellen. Samsung is er ook in geslaagd om met de nieuwe chip 40 procent meer productiviteit te behalen en dat betekent dat het verhogen van de geheugencapaciteit hoeft niet noodzakelijkerwijs de kosten bij het afrekenen met een equivalent op te drijven bedrag.

Lees verder: 10 beste laptops op dit moment

Deze doorbraak zou ook een positief domino-effect moeten hebben op de smartphonemarkt. De mogelijkheid om meer geheugen in een kleine ruimte te proppen zonder de kosten drastisch te verhogen, kan alleen maar goed zijn voor de capaciteitsopties in toekomstige telefoons.

Samsung zegt dat het deze nieuwe 256-Gigabit flash-geheugencomponenten de rest van 2015 zal blijven produceren.