VTFET-brikke fra IBM og Samsung lover 1 ukes batterilevetid

IBM og Samsung har i fellesskap annonsert et banebrytende chipdesign som kan føre til store ytelsesgevinsterog en hel uke med batterilevetid for telefonen.

Den nye Vertical Transport Field Effect Transistors (VTFET)-brikken, co-utviklet ved Albany Nanotech Complex i New York, har i kjernen en vertikal arkitektur i stedet for den vanlige leiligheten metode.

Ved å stable transistorer oppå hverandre i stedet for den vanlige side-ved-side-metoden, vil denne VTFET-brikken heve taket dramatisk når det gjelder antall transistorer som kan pakkes inn i en liten overflate område. Det vil også forbedre transistorkontaktpunktene, og dermed "tillate større strømflyt med mindre bortkastet energi".

De resulterende fordelene lover å bli dramatiske. IBM og Samsung er det forutsi at det vil redusere energibruken med 85 prosent sammenlignet med sammenlignbare fin field-effect transistor (finFET) brikker, mens en dobbel forbedring av ytelsen også ligger på kortene.

På effektivitetsfronten hevdes det at dette vil føre til "mobiltelefonbatterier som kan gå over en uke uten å bli ladet, i stedet for dager."

Naturligvis vil slik lavenergi, høyytelses maskinvare representere et stort løft for tingenes internett (IoT).

Dette ser ut til å komme på et ideelt tidspunkt, som Moores lov – det langvarige prinsippet om at transistortall og dermed chipytelse vil dobles hvert annet år – har i det siste støtt opp mot fysikkens grenser. Den gamle flate produksjonsmetoden vil ganske enkelt ikke gi de enorme, regelmessige gevinstene som den har gjort i mange år.

Hvorfor stole på journalistikken vår?

Trusted Reviews ble grunnlagt i 2004 og eksisterer for å gi leserne våre grundige, objektive og uavhengige råd om hva de skal kjøpe.

I dag har vi 9 millioner brukere i måneden rundt om i verden, og vurderer mer enn 1000 produkter i året.