3D Xpoint-minne satt til å erstatte både DRAM og NAND

Intel og Micron har gått sammen om å kunngjøre en helt ny minneteknologi som skal erstatte både DRAM og NAND solid state-lagring vi bruker for øyeblikket på våre PC-er.

Kalt 3DXpoint, teknologien bruker en ny metode for datalagring som ikke er avhengig av transistorer, men heller endrer tilstanden til et ukjent nytt materiale for å gi ekstremt langvarig datalagring som også er veldig fort.

Hvor fort? 1000 ganger hastigheten til den nåværende NAND-teknologien som brukes i SSD-er ifølge Intel. Det er litt kort av den raskeste DRAM-teknologien, men Intel og Micron forutsetter fortsatt systemer og applikasjoner der 3DXpoint vil være det eneste minnet som brukes.

Avgjørende for den nye teknologien er at den kan stables, i likhet med AMDs HBM-teknologi, noe som muliggjør minne med ekstremt høy tetthet. For dette formål forventes det første forventede produktet å bestå av to lag, med fremtidige produkter som legger til flere.

Som Intels Bob Crooke påpekte, er dette den første nye minneteknologien på lang, lang tid, med NAND fra 1989 og DRAM helt tilbake til 1960-tallet.

Ser litt ut som en minneversjon av Intels FinFET-prosessorteknologi 3D Xpoint lagrer data i tynne kolonner av materiale sammenkoblet av tynne metalltråder.

Data lagres ved å endre tilstanden til materialet, som endrer motstanden. Fordi det ikke er behov for å holde på elektroner som i de fleste eksisterende minneteknologier, er datalagringen enorm, og den varer 1000 ganger lenger enn NAND, ifølge Intel / Micron.

Intel og Micron presenterte den første platen av den nye teknologien - som produseres på et anlegg i Utah.

Bedriftene er stille på nøyaktig hva slags produkter vi skal.
se den nye teknologien ankomme, men har forpliktet seg til en utgivelsesdato for 2016 for et produkt med 128 GB kapasitet.