Set de memorie 3D Xpoint pentru a înlocui atât DRAM, cât și NAND

Intel și Micron și-au unit forțele pentru a anunța o tehnologie de memorie nouă, setată să înlocuiască atât stocarea în stare solidă DRAM, cât și NAND pe care le folosim în prezent în computerele noastre.

Denumită 3DXpoint, tehnologia folosește o nouă metodă de stocare a datelor care nu se bazează pe tranzistoare, ci mai degrabă modifică starea unui nou material nedezvăluit pentru a oferi o păstrare a datelor extrem de durabilă, care este și foarte mare rapid.

Cât de repede? 1000x viteza curentei tehnologii NAND utilizate în SSD-uri conform Intel. Este puțin la cea mai rapidă tehnologie DRAM, dar Intel și Micron încă prevăd sisteme și aplicații în care 3DXpoint va fi singura memorie utilizată.

Crucial pentru noua tehnologie este că va fi stivuibilă, la fel ca tehnologia HBM a AMD, permițând o memorie cu densitate extrem de mare. În acest scop, se așteaptă ca primul produs anticipat să fie format din două straturi, iar produsele viitoare vor adăuga mai multe.

După cum a subliniat Bob Crooke de la Intel, aceasta este prima nouă tehnologie de memorie de mult, mult timp, NAND datând din 1989 și DRAM mergând până în anii 1960.

Arătând oarecum ca o versiune de memorie a tehnologiei procesorului Intel FinFET 3D Xpoint stochează date în coloane subțiri de material interconectat prin fire metalice subțiri.

Datele sunt stocate modificând starea materialului, care îi schimbă rezistența. Deoarece nu este nevoie să se țină de electroni, ca în majoritatea tehnologiilor de memorie existente, păstrarea datelor este imensă, cu o durată de 1000 de ori mai mare decât NAND, potrivit Intel / Micron.

Intel și Micron au prezentat prima placă a noii tehnologii - care este produsă într-o unitate din Utah.

Companiile rămân tăcute cu privire la exact ce fel de produse vom folosi.
vedeți cum vine noua tehnologie, dar ne-am angajat să lansăm o dată de lansare în 2016 pentru un produs cu o capacitate de 128 GB.