3D Xpoint-minne som ersätter både DRAM och NAND

Intel och Micron har gått samman för att tillkännage en helt ny minneteknik som ska ersätta både DRAM och NAND solid state-lagring som vi för närvarande använder i våra datorer.

Kallas 3DXpoint, tekniken använder en ny metod för datalagring som inte är beroende av transistorer utan snarare ändrar tillståndet för ett icke avslöjat nytt material för att ge extremt långvarig datalagring som också är mycket snabb.

Hur snabbt? 1000 gånger hastigheten för den nuvarande NAND-tekniken som används i SSD-enheter enligt Intel. Det är lite mindre än den snabbaste DRAM-tekniken, men Intel och Micron förutser fortfarande system och applikationer där 3DXpoint är det enda minnet som används.

Avgörande för den nya tekniken är att den kan staplas, som AMD: s HBM-teknik, vilket möjliggör extremt högdensitetsminne. För detta ändamål förväntas den första förväntade produkten bestå av två lager, med framtida produkter som tillför mer.

Som Intels Bob Crooke påpekade är detta den första nya minneteknologin på lång, lång tid, med NAND som går tillbaka till 1989 och DRAM går ända tillbaka till 1960-talet.

Ser ut som en minneversion av Intels FinFET-processorteknik 3D Xpoint lagrar data i tunna kolumner av material sammankopplade av tunna metalltrådar.

Data lagras genom att ändra tillståndet för materialet, vilket ändrar dess motstånd. Eftersom det inte finns något behov av att hålla i elektroner som i de flesta befintliga minneteknologier är datalagring enorm, med en varaktighet på 1000 gånger längre än NAND, enligt Intel / Micron.

Intel och Micron presenterade den första plattan av den nya tekniken - som produceras på en anläggning i Utah.

Företagen är tysta på exakt vilken typ av produkter vi ska göra.
se den nya tekniken komma in men har åtagit sig att släppa 2016 för en produkt med 128 GB kapacitet.