שבב VTFET מ-IBM וסמסונג מבטיח חיי סוללה של שבוע אחד

IBM וסמסונג הכריזו במשותף על עיצוב שבב פורץ דרך שעשוי להוביל לשיפורים משמעותיים בביצועיםושבוע שלם של חיי סוללה לטלפון שלך.

שבב ה-Vertical Transport Field Effect Transistors (VTFET) החדש, שפותח במשותף באלבני קומפלקס ננוטק בניו יורק, כולל בבסיסו ארכיטקטורה אנכית ולא הדירה הרגילה שיטה.

על ידי ערימת טרנזיסטורים זה על גבי זה במקום השיטה הרגילה זה לצד זה, שבב VTFET זה להעלות באופן דרמטי את התקרה מבחינת מספר הטרנזיסטורים שניתן לארוז לתוך משטח קטן אֵזוֹר. זה גם ישפר את נקודות המגע של הטרנזיסטור, ובכך "תאפשר זרימת זרם גדולה יותר עם פחות אנרגיה מבוזבזת".

היתרונות המתקבלים מבטיחים להיות דרמטיים. IBM וסמסונג כן מנבא שהוא יקטין את צריכת האנרגיה ב-85 אחוז בהשוואה לשבבי טרנזיסטור שדה אפקט סנפיר (finFET) דומים, בעוד ששיפור פי שניים בביצועים נמצא גם בכרטיסים.

בחזית היעילות, נטען שזה יוביל ל"סוללות טלפונים סלולריים שיכולות לעבור יותר משבוע מבלי להיטען, במקום ימים".

באופן טבעי, חומרה כה נמוכה ועם ביצועים גבוהים תייצג דחיפה עצומה עבור האינטרנט של הדברים (IoT).

נראה שזה מגיע בזמן אידיאלי, כמו חוק מור - העיקרון רב השנים שמספרי הטרנזיסטורים ובכך ביצועי השבבים יוכפלו כל שנתיים - נתקל לאחרונה בגבולות הפיזיקה. שיטת הייצור השטוחה הישנה פשוט לא תביא לרווחים העצומים והקבועים שהיא עשתה במשך שנים רבות.

למה לסמוך על העיתונות שלנו?

נוסדה בשנת 2004, Trusted Reviews קיימת כדי לתת לקוראים שלנו עצות יסודיות, חסרות פניות ובלתי תלויות לגבי מה לקנות.

כיום, יש לנו 9 מיליון משתמשים בחודש ברחבי העולם, ומעריכים יותר מ-1,000 מוצרים בשנה.