VTFET čip IBM in Samsung obljublja 1 teden življenjske dobe baterije telefona

IBM in Samsung sta skupaj napovedala prebojno zasnovo čipa, ki bi lahko privedla do velikega povečanja zmogljivostiin cel teden delovanja baterije za vaš telefon.

Novi čip navpičnega transportnega polja z učinkom tranzistorjev (VTFET), sorazvit v Albanyju Nanotehnološki kompleks v New Yorku ima v svojem jedru navpično arhitekturo in ne običajno ravno metoda.

Z zlaganjem tranzistorjev enega na drugega namesto z običajno metodo vzporedno, bo ta čip VTFET dramatično dvignite zgornjo mejo glede na število tranzistorjev, ki jih je mogoče zapakirati v majhno površino območje. Prav tako bo izboljšal kontaktne točke tranzistorja, s čimer bo "omogočil večji pretok toka z manj izgubljene energije".

Posledične koristi obljubljajo, da bodo dramatične. IBM in Samsung sta napovedovanje da bo zmanjšal porabo energije za 85 odstotkov v primerjavi s primerljivimi čipi fin field-effect tranzistor (finFET), medtem ko je na karticah tudi dvakratna izboljšava zmogljivosti.

Na področju učinkovitosti se trdi, da bo to vodilo do "baterij mobilnih telefonov, ki bi lahko zdržale več kot en teden brez polnjenja namesto dni."

Seveda bi tako nizkoenergijska in visoko zmogljiva strojna oprema predstavljala velik zagon za internet stvari (IoT).

Zdi se, da bo to prišlo v idealnem času, kot Moorov zakon – dolgoletno načelo, da se število tranzistorjev in s tem zmogljivost čipa podvoji vsaki dve leti – se v zadnjem času sooča z mejami fizike. Stara ravna metoda proizvodnje preprosto ne bo prinesla velikih, rednih dobičkov, kot jih je imela dolga leta.

Zakaj zaupati našemu novinarstvu?

Trusted Reviews, ustanovljen leta 2004, obstaja zato, da našim bralcem nudi temeljite, nepristranske in neodvisne nasvete o tem, kaj kupiti.

Danes imamo 9 milijonov uporabnikov na mesec po vsem svetu in ocenjujemo več kot 1000 izdelkov na leto.